專為高通量 3D 分析和樣品制備量身打造的 FIB-SEM
蔡司 Crossbeam 將場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）鏡筒的強大成像和分析性能與新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力相結(jié)合。無論是切割、成像或進(jìn)行 3D 分析，Crossbeam 系列都能極大地提升您的應(yīng)用體驗。使用 Gemini 電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從掃描電子顯微鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。Ion-sculptor FIB 鏡筒引入了全新的 FIB 加工方法，能夠減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實驗進(jìn)程。
無論用于科研機(jī)構(gòu)還是工業(yè)實驗室，單用戶實驗室或多用戶實驗平臺，如果您想獲得高質(zhì)量，高影響力的實驗結(jié)果，蔡司 Crossbeam 的模塊化平臺設(shè)計可讓您根據(jù)自身需求的變化，隨時對儀器系統(tǒng)進(jìn)行升級。
技術(shù)參數(shù)：
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蔡司 Crossbeam 350 |
蔡司 Crossbeam 550 |
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掃描電子顯微鏡（SEM） |
Gemini I 鏡筒 |
Gemini II 鏡筒 |
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可變氣壓選項 |
可選 Tandem decel |
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電子束流：5 pA – 100 nA |
電子束流：10 pA – 100 nA |
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聚焦離子束 |
分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計方法） |
分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計方法） |
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分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA（可選） |
分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA |
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探測器 |
Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可變壓力二次電子探測器）、SESI（二次電子二次離子探測器）、aSTEM（掃描透射電子探測器）、aBSD（背散射探測器） |
Inlens SE、Inlens EsB、ETD（Everhard-Thornley 探測器）、SESI（二次電子二次離子探測器）、aSTEM（掃描透射電子探測器）、aBSD（背散射探測器）和 CL（陰極熒光探測器） |
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樣品倉規(guī)格和端口 |
標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有 18 個可配置接口 |
標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有 18 個可配置接口 / 大樣品倉配有 22 個可配置接口 |
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載物臺 |
X /Y = 100 mm |
X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm |
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Z = 50 mm，Z' = 13 mm |
Z = 50 mm，Z' = 13 mm / Z = 50 mm，Z' = 20 mm |
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T = -4° 至 70°，R = 360° |
T = -4° 至 70°，R = 360° / T = -15° 至 70°，R = 360° |
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電荷控制 |
電子束流槍 |
電子束流槍 |
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局部電荷中和器 |
局部電荷中和器 |
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可變壓力 |
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氣體 |
單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O |
單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O |
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多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2 |
多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2 |
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存儲分辨率 |
32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達(dá) 50 k × 40 k） |
32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達(dá) 50 k × 40 k） |
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可選分析附件 |
EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件 |
EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件 |
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優(yōu)勢 |
因采用可變壓力模式及廣泛的原位實驗，可大幅擴(kuò)大樣品兼容性。 |
以高通量完成分析與成像，且在各種條件下皆可獲得高分辨率。 |
