失效分析（FA）是利用各種方法檢測(cè)設(shè)備的失效位置和失效模式的技術(shù)。需要及時(shí)反饋有關(guān)這些故障的信息，以提高生產(chǎn)中設(shè)備的質(zhì)量和可靠性。
開(kāi)封（解封）/去層是整個(gè)FA程序中的關(guān)鍵技術(shù)之一。該技術(shù)用于去除鈍化并揭示設(shè)備的底層以供后續(xù)檢查。酸脫蓋和等離子脫蓋技術(shù)廣泛用于脫封。使用硝酸和硫酸等溶液進(jìn)行酸脫蓋是一種有用的鈍化去除技術(shù)，但有時(shí)會(huì)導(dǎo)致銅線(xiàn)和鋁線(xiàn)等金屬線(xiàn)腐蝕。使用干法蝕刻技術(shù)的等離子體脫蓋工藝比酸性脫蓋工藝慢，但這些工藝可以去除特定的材料層，并以高選擇性揭示底層和金屬線(xiàn)。本文主要對(duì)失效分析領(lǐng)域涉及芯片開(kāi)封和去層的等離子技術(shù)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹
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我們知道，在芯片失效分析領(lǐng)域，常見(jiàn)的開(kāi)封方式，一般包括機(jī)械開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封以及激光開(kāi)封.（具體可參看：常見(jiàn)芯片開(kāi)封技術(shù)及儀器簡(jiǎn)介）各種方式之間也各有不同的特點(diǎn)，但等離子開(kāi)封因?yàn)槠?ldquo;慢工出細(xì)活”的特點(diǎn)，在高端芯片領(lǐng)域獲得了 其原理是通過(guò)電場(chǎng)功率將反應(yīng)氣體離子化后與需要去除的材料接觸并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而揮發(fā)。總體上屬于化學(xué)開(kāi)封，也有同時(shí)采用化學(xué)和物理機(jī)制的。 優(yōu)點(diǎn)是沒(méi)有物理應(yīng)力，精細(xì)化程度高，不攻擊敏感材料，可到達(dá)細(xì)孔凹陷部位。 缺點(diǎn)是速度慢，價(jià)格昂貴。 該領(lǐng)域的專(zhuān)用設(shè)備供應(yīng)商主要來(lái)自歐洲和美國(guó)。 |
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集成電路的芯片制造過(guò)程是通過(guò)掩模、光刻、離子注入、氣相沉積、電鍍、化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）、腐蝕等多達(dá)幾十、上百道工序，在硅襯底表面生長(zhǎng)出有著特定邏輯功能的物理圖形，這些物理圖形從材質(zhì)上包括Al、Cu、Ti、TiN和W等金屬材料，以及單晶Si和多晶Si、SiO2和Si3N4等非金屬材料[1]。
集成電路在制造、試驗(yàn)和應(yīng)用過(guò)程中不可避免地會(huì)因?yàn)橹圃旃に嚒y(cè)試和環(huán)境應(yīng)力、用戶(hù)使用、壽命損耗等各種因素發(fā)生失效[2]。失效分析工程師需要通過(guò)各種方法定位失效位置，查找失效原因，剖析失效機(jī)理，在失效分析過(guò)程中需要對(duì)失效的集成電路進(jìn)行去層解剖分析。芯片去層制備是在了解集成電路芯片制造工藝的基礎(chǔ)上，采用化學(xué)腐蝕、機(jī)械研磨、離子刻蝕等技術(shù)手段逐層去除芯片各物理層次結(jié)構(gòu)的過(guò)程。
集成電路芯片的去層制備過(guò)程包括對(duì)表層玻璃鈍化層的去除、金屬化層的去除、阻擋層的去除、中間介質(zhì)層的去除、底層多晶層的去除和有源區(qū)的制備。根據(jù)制造工藝和材料的差異，一般可以選用離子刻蝕、化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨等方法。目前反應(yīng)離子刻蝕法（RIE）因?yàn)槠洫?dú)特的優(yōu)勢(shì)已被設(shè)備制造商和FA實(shí)驗(yàn)室廣泛，目前市場(chǎng)上相應(yīng)品牌的產(chǎn)品也相當(dāng)成熟，如日本SAMCO,英國(guó)Oxford等.以目前在國(guó)內(nèi)市占率較高的日本SAMCO為例：（代表機(jī)型10NR） |
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1、可處理具有高選擇性和高縱橫比的各種材料
● Si（在埋入氧化物
● （BOX） 處的蝕刻停止）
● 氧化物
● 硼硅酸鹽玻璃 （BSG）、磷硅酸鹽玻璃 （PSG） 和硼磷硅酸鹽玻璃 （BPSG）
● 蝕刻停止在塊體 Si 處）
● 氮化物
● 金屬間電介質(zhì) （IMD）
● 層間電介質(zhì) （ILD）
● 低介電
● 聚酰亞胺
● 環(huán)氧的
● 高分子薄膜
2、鋁線(xiàn)成功暴露，沒(méi)有分層和侵蝕。該技術(shù)能夠?qū)?fù)雜結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行逐層去鈍化和故障檢測(cè)。
3、System Lineup from Die to 300 mm for Plasma Decapsulation 適應(yīng)最高到300mm的對(duì)象尺寸（4~12寸）
4、Endpoint Detection for Precise and Repeatable Etch Stop終點(diǎn)檢測(cè)，實(shí)現(xiàn)精確且可重復(fù)的蝕刻停止
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為了實(shí)現(xiàn)可靠的去鈍化工藝，需要精確的蝕刻停止。Samco 提供用于去鈍化的可選終點(diǎn)點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)能夠?qū)Πㄑ趸锖偷镌趦?nèi)的薄膜和透明薄膜進(jìn)行精確的厚度監(jiān)測(cè)。它可實(shí)現(xiàn)可重復(fù)的全自動(dòng)處理。 |
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